光阻聚合物与含有该光阻聚合物之光阻化合物

摘要

本发明有关光阻聚合物及含有该光阻聚合物之光阻组合物。小于50奈米之光阻图案系使用EUV(极远紫外线)作为曝光光源以包含下列成份之光阻组合物来达成：(i)包含式2聚合重现单元之光阻聚合物或(ii)包含式3聚合重现单元之光阻聚合物与聚乙烯基苯酚。结果，虽然该光阻图案具有极小之厚度，但仍可取得优越之抗蚀刻性。093118337-p01.bmp其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、a、b、c、d、e、f及g系如本发明所定义。