| 摘要 |
藉由首先使用一通常对程式化单元(60，62，64，66)有效之源极偏压来程式化记忆体(10)之每一单元(60至66)。若在第一次尝试中未成功程式化一单元(60至66)，则此通常系因为许多与未成功程式化之单元(60至66)位于相同行(74，78)上之单元(60至66)具有相对低之临限电压，该等记忆体单元(60至66)被偏压一足够低之临限电压而成为导电状态，甚至使得接地闸极导电。大多数单元(60至66)不具有此问题，但普通存在一些确实具有该低临限电压特征之记忆体单元(60至66)。为克服此问题，在随后的程式化尝试过程中施加一不同之源极偏压。因此，在较快之程式化条件下程式化大多数单元(60至66)，且使用较慢之方法程式化仅少数需要其之单元。 |
