在半导体装置中形成穿隧氧化膜之方法

摘要

本发明系关于一种于半导体装置中形成穿隧氧化膜之方法，其中在形成一高压电晶体之闸氧化膜之后，在去除记忆体单元区及低压电晶体区中之氧化膜之制程中留下一预确定厚度之氧化膜，藉此防止在去除氧化膜及光阻膜制程中所造成之基板表面变粗以及因所吸收之碳成分而导致之污染，进而可形成一具有优异薄膜品质之穿隧氧化膜。