使用高温对流加热之半导体基板表面制备

摘要

一种处理半导体晶圆之方法包括利用加热之气体以对流加热半导体晶圆之一部分，以自该处吸解至少一污染物。在无加热气体之下，使一冷却气体流通过半导体晶圆之一部分，以冷却半导体晶圆之一部分。一度量衡工具用以测量半导体晶圆之一部分以决定其至少一特性。