| 摘要 |
本发明提供一种经由通道热载子诱发热电子注入机制程式化PMOS单电晶体记忆体单元之方法，该PMOS单电晶体记忆体单元包含有一二氧化矽－氮化矽－二氧化矽(ONO)堆叠层设于一N型半导体井上，一P型多晶矽闸极设于该ONO堆叠层上，一P型源极掺杂区设于该P型多晶矽闸极一侧之该N型半导体井中，以及P型汲极掺杂区设于该P型多晶矽闸极另一侧之该N型半导体井中，该方法包含有：施加一字元线电压VWL予该PMOS单电晶体记忆体单元之P型多晶矽闸极；施加一源极线电压VSL予该PMOS单电晶体记忆体单元之P型源极掺杂区，其中该源极线电压VSL较该字元线电压VWL大，使该P型多晶矽闸极与该P型源极掺杂区之间具足够之偏压让该PMOS单电晶体记忆体单元之P型通道开启；施加一位元线电压VBL予该PMOS单电晶体记忆体单元之P型汲极掺杂区，其中该位元线电压VBL较该源极线电压VSL小，藉此驱动通道热电洞由该P型源极掺杂区经由该P型通道流向该P型汲极掺杂区，并在靠近该P型汲极掺杂区之该P型通道中诱发产生热电子使其注入该ONO堆叠层中；以及施加一井电压VNW予该PMOS单电晶体记忆体单元之N型半导体井，其中该井电压VNW等于该源极线电压VSL。 |
