发明名称 P型记忆单元组成之反或型记忆模组之操作方法
摘要 一种P型记忆单元组成之反或型记忆模组之操作方法。该方法包含提供复数个记忆单元,每一个记忆单元包含一基极、一P型汲极、一P型源极、一堆叠介电层,以及一闸极,每一个记忆单元可储存二位元之资料,该复数个记忆单元排列成反或阵列;使用通道热电洞引发热电子注入的机制对该复数个记忆单元进行写入操作;使用贯通机制进行反向读取操作对该复数个记忆单元进行读取操作;以及使用福乐诺汉穿隧的机制对该复数个记忆单元进行抹除操作。
申请公布号 TW200506948 申请公布日期 2005.02.16
申请号 TW093102231 申请日期 2004.01.30
申请人 力旺电子股份有限公司 发明人 徐清祥;沈士杰;陈信铭;李海明
分类号 G11C16/02;H01L27/115 主分类号 G11C16/02
代理机构 代理人 许锺迪
主权项
地址 新竹市科学工业园区力行一路十二号三楼