发明名称 | 量测薄膜应变之方法及结构 | ||
摘要 | 一种量测薄膜应变的方法及结构,应用于面型微细加工制程中量测薄膜残余应变,残余应变分布梯度,热膨胀系数或热膨胀梯度分布。在形成微机电元件的薄膜时,同时形成一同平面应变规及一出平面应变规,经由同平面应变规及出平面应变规,可以量测薄膜残余应变及其梯度分布。薄膜经过热处理后,可以量测热膨胀系数及热膨胀梯度分布。 | ||
申请公布号 | TW200506329 | 申请公布日期 | 2005.02.16 |
申请号 | TW092122066 | 申请日期 | 2003.08.12 |
申请人 | 台达电子工业股份有限公司 | 发明人 | 蔡欣昌;方维伦 |
分类号 | G01L1/00 | 主分类号 | G01L1/00 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 桃园县龟山工业区兴邦路三十一之一号 |