发明名称 量测薄膜应变之方法及结构
摘要 一种量测薄膜应变的方法及结构,应用于面型微细加工制程中量测薄膜残余应变,残余应变分布梯度,热膨胀系数或热膨胀梯度分布。在形成微机电元件的薄膜时,同时形成一同平面应变规及一出平面应变规,经由同平面应变规及出平面应变规,可以量测薄膜残余应变及其梯度分布。薄膜经过热处理后,可以量测热膨胀系数及热膨胀梯度分布。
申请公布号 TW200506329 申请公布日期 2005.02.16
申请号 TW092122066 申请日期 2003.08.12
申请人 台达电子工业股份有限公司 发明人 蔡欣昌;方维伦
分类号 G01L1/00 主分类号 G01L1/00
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 桃园县龟山工业区兴邦路三十一之一号