发明名称 雷射二极体
摘要 本发明之雷射二极体包含一基板、一设置于该基板上之磊晶结构、一将该磊晶结构分隔成一第一发光区及一第二发光区之一绝缘槽、一设置于该第一发光区上之第一P型欧姆接触电极及一设置于该第二发光区上之第二P型欧姆接触电极。该磊晶结构包含一N型包覆层、一P型包覆层、复数层夹于中间之发光磊晶层及一设置于该P型包覆层上之P型接触层。本发明系利用该P型包覆层与该N型包覆层之厚度不对称及该第一P型欧姆接触电极与该第二P型欧姆接触电极之组成材料不相同,产生模态损失效应,使得该第一发光区与该第二发光区之发光波长不相同。
申请公布号 TW200507393 申请公布日期 2005.02.16
申请号 TW092122296 申请日期 2003.08.13
申请人 行政院原子能委员会-核能研究所 发明人 吴志宏
分类号 H01S5/30 主分类号 H01S5/30
代理机构 代理人 王仲
主权项
地址 桃园县龙潭乡文化路一○○○号