发明名称 |
薄膜半导体基板、制造薄膜半导体基板之方法、结晶化方法、结晶化装置、薄膜半导体装置及制造薄膜半导体装置之方法 |
摘要 |
一种薄膜半导体基底,其具有:一绝缘基底、形成于该绝缘基底上之一非结晶半导体薄膜、及设置于该半导体薄膜上且指示结晶参考位置之复数对准标记。 |
申请公布号 |
TW200507279 |
申请公布日期 |
2005.02.16 |
申请号 |
TW093118613 |
申请日期 |
2004.06.25 |
申请人 |
液晶先端技术开发中心股份有限公司 |
发明人 |
平松雅人;木村嘉伸;小川裕之;十文字正之;松村正清 |
分类号 |
H01L29/786 |
主分类号 |
H01L29/786 |
代理机构 |
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代理人 |
蔡清福 |
主权项 |
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地址 |
日本 |