发明名称 薄膜半导体基板、制造薄膜半导体基板之方法、结晶化方法、结晶化装置、薄膜半导体装置及制造薄膜半导体装置之方法
摘要 一种薄膜半导体基底,其具有:一绝缘基底、形成于该绝缘基底上之一非结晶半导体薄膜、及设置于该半导体薄膜上且指示结晶参考位置之复数对准标记。
申请公布号 TW200507279 申请公布日期 2005.02.16
申请号 TW093118613 申请日期 2004.06.25
申请人 液晶先端技术开发中心股份有限公司 发明人 平松雅人;木村嘉伸;小川裕之;十文字正之;松村正清
分类号 H01L29/786 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 蔡清福
主权项
地址 日本