用于处理半导体加工元件之方法及由此形成的元件

摘要

揭示多种半导体加工元件及其形成方法。在一具体态样中，半导体加工元件是由SiC所形成，并且元件之外表面部分的表面杂质程度是不大于主体杂质程度的十倍。在另一具体态样中，处理半导体加工元件的方法包括将元件暴露于高温下的卤素气体、氧化该元件以形成氧化层、移除氧化层。