用以制作小特征之半导体制造方法

摘要

本发明揭示一种半导体制造方法，其包括在一半导体基板(102)之上形成包括一成像层(112)与一下层(110)的一薄膜(109)。该成像层(112)系图案化以产生具有一印刷尺度(124)之一印刷特征(116)。而后，处理该下层(110)以在该下层(110)中产生一倾斜侧壁空隙(120)，其中该空隙(120)具有接近该下面的基板并小于该印刷尺度的一完成尺度(126)。处理该下层(110)可包括将该晶圆曝露于高密度低压N2电浆。