| 发明名称 | 栅极结构及包含此结构的金氧半晶体管结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明为一种栅极结构，包括：一基底，于该基底上形成有一栅介电层，于该栅介电层上形成有一第一栅导电层，该第一栅导电层中的晶粒排列为一无规则排列，于该第一栅导电层上形成有一第二栅导电层，该第二栅导电层中的晶粒排列为一柱状排列。本发明的范围更包括含有前述栅极结构的金氧半晶体管结构及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1581511A | 申请公布日期 | 2005.02.16 |
| 申请号 | CN200410070780.3 | 申请日期 | 2004.07.26 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈佳麟;黄明杰;陈建豪;李资良;陈世昌 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8234 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1、一种栅极结构，其特征是包括：一基底；一栅介电层，形成于该基底上；一第一栅导电层，形成于该栅介电层上，且该第一栅导电层中的晶粒排列为一无规则排列；以及一第二栅导电层，形成于该第一栅导电层上，且该第二栅导电层中的晶粒排列为一柱状排列。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||