发明名称 |
抗蚀剂图案及配线图案的形成方法、半导体装置的制造法 |
摘要 |
本发明提供一种可以生产性良好地形成抗蚀剂图案的方法。其解决方法是,将设置在含有可以将光能转换成热能的光热转换材料的基体材料(5)上的含有抗蚀剂材料的抗蚀剂层(6)和被处理材料(1)对置,在基体材料(5)的所定区域内照射光,使与所定区域相应的抗蚀剂材料转印到被处理材料(1)上,使抗蚀剂材料在被处理材料(1)上制作配线图案。 |
申请公布号 |
CN1581436A |
申请公布日期 |
2005.02.16 |
申请号 |
CN200410055899.3 |
申请日期 |
2004.08.05 |
申请人 |
精工爱普生株式会社 |
发明人 |
丰田直之 |
分类号 |
H01L21/027;G03F7/00 |
主分类号 |
H01L21/027 |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
李香兰 |
主权项 |
1.一种抗蚀剂图案的形成方法,其特征在于:在含有将光能转换成热能的光热转换材料的基体材料上,设置含有抗蚀剂材料的抗蚀剂层,在将上述抗蚀剂层和被处理材料对置的状态下,在上述基体材料的所定区域内照射光,将与上述所定区域相应的上述抗蚀剂材料转印到上述被处理材料上,使抗蚀剂材料在上述被处理材料上制作配线图案。 |
地址 |
日本东京 |