使用漏电流的半导体测试设备和漏电流的补偿系统

摘要

本发明涉及一种可以使用漏电流的半导体测试设备和/或漏电流的补偿系统。根据本发明的范例性实施例，该半导体测试设备可以包括以与该半导体设备的MOS晶体管类似制造过程制造的多个MOS晶体管。该半导体测试设备可以检测到流经所述MOS晶体管的漏电流，可以测试该半导体设备是否是被正常制造，并可以生成作为结果的至少正常或非正常信号。漏电流补偿系统可以响应半导体测试设备的正常或非正常信号补偿流经该半导体设备的漏电流。根据本发明的范例性实施例，非正常制造的MOS晶体管可以被测试出，经过漏电流补偿系统可以降低该半导体设备的故障。

主权项

1.一种用于测试包括至少一个MOS晶体管的半导体设备的半导体测试设备，包括：第一漏电流源，用于根据所述至少一个MOS晶体管是否被正常制造生成第一漏电流；第二漏电流源，用于根据所述至少一个MOS晶体管是否被正常制造生成第二漏电流；和一比较器，用于比较第一漏电流和第二漏电流，以确定所述半导体设备是否被正常制造。