发明名称 制备钛酸锶钡铁电薄膜的方法
摘要 本发明属于铁电薄膜材料制备方法,在传统Sol-Gel法的基础上,先在基片上提供一层种子层,在其上反复旋涂BST溶胶,以制成均匀的BST薄膜。本发明步骤:以醋酸铅Pb(C<SUB>2</SUB>H<SUB>3</SUB>O<SUB>2</SUB>)<SUB>2</SUB>溶于水和冰醋酸CH<SUB>3</SUB>COOH构成的溶剂中,以钛酸四丁酯Ti(OC<SUB>4</SUB>H<SUB>9</SUB>)<SUB> 4</SUB>溶于乙二醇乙醚C<SUB>2</SUB>H<SUB>5</SUB>O(CH<SUB>2</SUB>)<SUB>2</SUB>OH溶剂中,两部分混合搅拌成为PbTiO<SUB>3</SUB>溶胶;PbTiO<SUB>3</SUB>溶胶加入N·N-甲酰胺C<SUB>3</SUB>H<SUB>7</SUB>NO和乙二醇C<SUB>2</SUB>H<SUB>6</SUB>O<SUB>2</SUB>为添加剂,组份充分均匀,形成PbTiO<SUB>3</SUB>种子层前驱体;在基片上旋转涂覆PbTiO<SUB>3</SUB>种子层前驱体,形成湿薄膜,紫外灯照射使之成为固体膜,热处理形成无机膜;重复旋转涂覆步骤2~4次,经热处理,即形成种子层;再采用传统Sol-Gel方法在种子层上制备BST薄膜。采用本发明制备的BST铁电薄膜无裂纹和孔洞,晶粒明显生长、分布均匀,可满足UFPA系统探测材料的要求。
申请公布号 CN1580322A 申请公布日期 2005.02.16
申请号 CN200410013161.0 申请日期 2004.05.15
申请人 华中科技大学 发明人 姜胜林;曾亦可;林汝湛;邓传益
分类号 C23C20/06;H01L41/24 主分类号 C23C20/06
代理机构 华中科技大学专利中心 代理人 方放
主权项 1.一种制备钛酸锶钡铁电薄膜的方法,其步骤依次为:(1)取钛酸锶钡铁电BST溶液的浓度为Xmoll-1,则种子层溶胶的浓度为X±0.2moll-1,其中X为0.3~0.5;(2)当种子层溶胶的浓度为0.1~0.7moll-1时,每制备50ml种子层溶胶,以0.005-0.035mol醋酸铅Pb(C2H3O2)2溶于1-3ml水和10-16ml冰醋酸CH3COOH构成的溶剂中,以等量的0.005-0.035mol钛酸四丁酯Ti(OC4H9)4溶于10-16ml乙二醇乙醚C2H5O(CH2)2OH溶剂中,再将上述两部分混合、边搅拌边加热成为PbTiO3溶胶;(3)上述PbTiO3溶胶加入等量的N·N-甲酰胺C3H7NO和乙二醇C2H6O2各4-8ml为添加剂,边搅拌边加热,使组份充分均匀,形成PbTiO3种子层前驱体;(4)在Pt/Ti/SiO2/Si基片上旋转涂覆PbTiO3种子层前驱体,形成湿薄膜,在紫外灯下照射使之成为固体膜,再经热处理形成无机膜;(5)重复步骤(4)2~4次,再经热处理,即形成光滑均匀表面黏附性能好的种子层;(6)再采用传统Sol-Gel方法在种子层上面制备BST薄膜,BST薄膜的退火分别在快速热处理炉RTA中进行。
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