| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种于其邻近区域具低介电常数材质的半导体装置。包括：一装置，包括一栅极，于该基底上；一导电插栓，邻近该栅极且与该装置产生电性连接；以及一低介电常数材质，设置于该栅极与该导电插栓之间，以降低其寄生电容。由此，可制作出高密度且不致降低操作速度的装置。 | ||
| 申请公布号 | CN1581507A | 申请公布日期 | 2005.02.16 |
| 申请号 | CN200410003178.8 | 申请日期 | 2004.02.24 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 胡正明;邓端理;曾鸿辉 |
| 分类号 | H01L29/78 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包括：一基底；一装置，有一栅极于该基底上；一导电插栓，邻近该栅极且与该装置产生电性连接；以及一低介电常数材质，设置于该栅极与该导电插栓之间。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||