| 发明名称 | 光掩膜、制造图形的方法以及制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种光掩膜，包括：透明衬底；第一掩膜图形，设置在透明衬底的第一区域上；第二掩膜图形，设置在透明衬底的与第一区域不同的第二区域上；以及透明膜，设置在第一掩膜图形上，具有使第一掩膜图形的焦点位置深于第二掩膜图形的焦点位置的光学厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN1581437A | 申请公布日期 | 2005.02.16 |
| 申请号 | CN200410070560.0 | 申请日期 | 2004.08.06 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 伊藤仁 |
| 分类号 | H01L21/027;H01L21/00;G03F7/16 | 主分类号 | H01L21/027 |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李峥 |
| 主权项 | 1.一种光掩膜，包括：透明衬底；第一掩膜图形，设置在透明衬底的第一区域上；第二掩膜图形，设置在透明衬底的与第一区域不同的第二区域上；以及透明膜，设置在第一掩膜图形上，具有使第一掩膜图形的焦点位置深于第二掩膜图形的焦点位置的光学厚度。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||