| 发明名称 | 发光半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在一种半导体发光器件的制造方法中，在GaN或AlGaN衬底上形成基于GaN的半导体部。基于GaN的半导体部包括发光膜。在基于GaN的半导体部上形成电极膜。使用导电粘合剂将导电衬底与电极膜的表面相粘接。在粘接导电衬底后，将GaN或AlGaN衬底和基于GaN的半导体部的其中之一与另一个分离开，以能形成半导体发光器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1581525A | 申请公布日期 | 2005.02.16 |
| 申请号 | CN200410056340.2 | 申请日期 | 2004.08.06 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 秋田胜史 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈平 |
| 主权项 | 1.一种半导体发光器件的制造方法。该方法包括下列步骤：在AlxGa1-xN(0≤x≤1)衬底上形成基于GaN的半导体部，基于GaN的半导体部包括一发光膜；在基于GaN的半导体部上形成一电极膜；使用导电粘合剂将导电衬底与电极膜的表面相粘接；在粘接导电衬底后，将AlxGa1-xN衬底和基于GaN的半导体部的其中之一与另一个分离开。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||