制备Ⅲ族氮化物半导体的方法及Ⅲ族氮化物半导体器件

摘要

利用掩模4，蚀刻第一III族氮化物半导体层31，由此形成点状、条状或栅格状等岛状结构，以便提供沟槽/柱子。这样，无须除去形成于柱子上层顶面的掩模4，第二III族氮化物层32即可以沟槽的侧壁/多个侧壁为晶核纵向和横向地外延生长，进而掩埋沟槽，并且使该层沿纵向生长。第二III族氮化物层32不在掩模4上外延生长。这种情况下，可以防止第一III族氮化物半导体层31中所包含的贯穿位错在经横向外延生长而形成的第二III族氮化物半导体32的上部扩展，并且可以在沟槽的掩埋部分形成几乎没有贯穿位错的区域。

主权项

1.一种通过外延生长制备III族氮化物半导体的方法，包括使用掩膜；蚀刻包含至少一层III族氮化物半导体的底层，所述底层的最上层是由第一III族氮化物半导体形成的，由此形成点状、条状或栅格状等岛状结构；及沿纵向和横向外延生长第二III族氮化物半导体，但不在掩膜上外延生长，该掩膜保留在所述沟槽底层中最上层的顶面上，并以沟槽的侧壁为外延生长的晶核，通过蚀刻所述第一III族氮化物半导体，形成柱子和所述的沟槽，进而形成点状、条状或栅格状等岛状结构，其中所述底层包括多个单元的形成于基材上的缓冲层和外延生长于该缓冲层上的所述的III族氮化物半导体层。