半导体存储装置及其制造方法

摘要

在实现存储单元阵列的位线的低电阻化的同时，实现存储单元阵列形成面积的缩小化。为此，与字线11正交的各位线21由在半导体基片10内形成的扩散位线211和其上方的线状金属位线212组成。扩散位线211在金属位线212的下方同样线状形成，金属位线212在字线11间与扩散位线211连接。在存储单元阵列上形成层间绝缘膜，金属位线212在其中埋置形成。

主权项

1.一种半导体存储装置，其特征在于：包括在半导体基片上形成的多个线状的字线；与所述字线正交的多个线状的位线；在所述半导体基片的所述位线间形成、以所述字线为栅电极的存储晶体管；在所述存储晶体管上形成的层间绝缘膜，其中，各所述位线由在所述半导体基片内形成的扩散位线；在所述层间绝缘膜中线状埋置形成、在所述字线间与所述扩散位线连接的金属位线组成。