发明名称 | 导线结合结构和连接到微电子电路小片的方法 | ||
摘要 | 一种导线结合结构包括形成在微电子电路小片的表面上或者表面中的铜焊盘。包括与该铜焊盘接触的导电层,且结合导线结合到该导电层。该导电层由一种材料形成,以在氧化环境和具有达到至少大约350℃的温度的环境的至少一种环境中在结合导线和铜焊盘之间提供稳定的接触。 | ||
申请公布号 | CN1582495A | 申请公布日期 | 2005.02.16 |
申请号 | CN02820665.7 | 申请日期 | 2002.10.17 |
申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | D·丹尼尔森;P·帕卢达;R·格莱克斯纳;R·奈克 |
分类号 | H01L23/485 | 主分类号 | H01L23/485 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 章社杲 |
主权项 | 1.一种导线结合结构,其包括:基底;形成在该基底的表面上的铜焊盘;与该铜焊盘接触的导电层;以及结合到该导电层的结合导线,其中,该导电层包括一种材料,以在氧化环境和具有达到至少大约350℃的温度的环境的至少一种环境中在结合导线和铜焊盘之间提供稳定的接触。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |