发明名称 一种氮化硅粉体转相的方法
摘要 一种氮化硅粉体转相的方法,该方法利用等离子化学气相法制备的无定型氮化硅粉体为原料,在连续转相热处理装置内将无定型氮化硅粉体转相,所述热处理装置包括推料器,前密封箱、中温炉、高温炉、冷却带以及后密封箱,在该装置内装有可连续运动的多个盛粉容器,并以氨或氨与氮的混合气体为保护气氛。采用本发明可连续、批量生产高α相氮化硅粉体;α相:95.5~97.5%;粒度分布特征:平均粒度D<SUB>50</SUB>=0.18~0.35μm,转相后产品中的氧含量小于0.2%,残留氯含量采用荧光X射线方法分析已经检测不到,从而有效提高了氮化硅粉体的性能。
申请公布号 CN1189388C 申请公布日期 2005.02.16
申请号 CN02123440.X 申请日期 2002.06.28
申请人 清华大学 发明人 齐龙浩;白万杰;潘伟;曹阳
分类号 C01B21/068 主分类号 C01B21/068
代理机构 代理人
主权项 1.一种氮化硅粉体转相的方法,该方法以Ar和H2为工作气体,以NH3和SiCl4为原料,利用等离子体化学气相法生产得到无定型Si3N4粉体,在连续转相热处理装置内将无定型氮化硅粉体转相,所述热处理装置包括推料器(3)、前密封箱(1)、中温炉(10)、高温炉(9)、冷却带(8)以及后密封箱(7),在该装置内装有可连续运动的多个盛粉容器(6),在前密封箱、高温炉、冷却带以及后密封箱均设有保护气氛入口(5),在中温炉上设有保护气氛出口(4),其特征在于:粉体转相按如下步骤进行:a.将无定型氮化硅粉体原料放入前密封箱内的盛粉体容器中,通过推料器将容器推进连续转相的热处理装置内;b.粉料在氨气或氨气和氮气混合气气氛保护下,首先经过中温炉去除粉料表面的氯化铵,其处理温度为500~600℃,处理时间为1~2小时;c.然后继续进入高温炉进行无定型氮化硅的转相和结晶化处理,其处理温度在1450~1550℃,处理时间为1~1.5小时,即可得到高α相氮化硅粉体;d.经转相处理后的氮化硅粉体经冷却带冷却后进入后密封箱,再由后密封箱中取出。
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