发明名称 大容量绝缘栅双极型晶体管驱动电路
摘要 一种大容量绝缘栅双极型晶体管驱动电路,属于绝缘栅双极型晶体管驱动电路领域,它包括正/负电源、光电隔离级、驱动级和功率放大级。其特征在于:第一、第二两个驱动级分别采用了两级反相的施密特电路;其中电平转换电路的第一个三极管(T2)的基极经过正相限流后与光电隔离级的输出端(1)相连,其集电极经限流电阻后与正电源相连,发射极经限流后与负电源相连;第二个三极管(T3)的基极经正相限流后与第一个三极管的集电极相连,其集电极和晶体管T2的发射极相连并与功率放大级输入端(2)相连,发射极和负电源相连。本驱动电路能够驱动大容量的IGBT,并可调节IGBT的导通与时间,实现IGBT的最佳导通与关断。
申请公布号 CN1190010C 申请公布日期 2005.02.16
申请号 CN02129368.6 申请日期 2002.09.06
申请人 清华大学 发明人 瞿文龙
分类号 H03K17/795 主分类号 H03K17/795
代理机构 代理人
主权项 1.大容量绝缘栅双极型晶体管驱动电路,包括正/负电源、光电隔离级、驱动级和功率放大级,其特征在于,它含有:光电隔离级,包括:光电隔离管:它的输入端经限流电阻收驱动控制信号,它的输出端经另一个限流电阻接正电源;功率放大级,包括:第一低压MOS管:源极接正电源;第二低压MOS管:源极经两个相互串接的电阻后接第一低压MOS管的漏极,而第二低压MOS管的漏极接负电源;上述相互串接的两个电阻的连接点经两个分压电阻后接地,而两个分压电阻的中点即所述大容量绝缘栅双极型晶体管驱动电路的驱动信号输出端;驱动级,包括:第一驱动级,它依次由第一个两级反相的施密特电路与电阻串接而成,所述第一个两级反相的施密特电路的输入端和光电隔离级的输出端相连,所述的电阻的另一端与功率放大级中的第一低压MOS管栅极相连,该MOS管是P沟的;第二驱动级,它依次由第二个两级反相的施密特电路和电平转换电路串接而成,所述第二个两级反相的施密特电路的输入端与所述光电隔离级的上述同一个输出端相连,所述电平转换电路的输出端和功率放大级中的第二低压MOS管栅极相连,该低压MOS管是N沟的;其中,所述的电平转换电路含有:第一个三极管,它的基极依次串接一个电阻和一个和该电阻正向串接的第一个二极管,该第一个二极管的负极和第二个两级反相的施密特电路的输出端相连,它的集电极经限流电阻后与正电源相连,它的发射极经另一个限流电阻后与负电源相连;第二个三极管,它的基极经过另一个电阻、一个和所述另一个电阻正向串接的第二个二极管,该第二个二极管的负极和所述第一个三极管的集电极相连;它的集电极同时和所述第一个三极管的发射极以及所述功率放大级中的第二个低压MOS管的栅极相连;它的发射极和负电源相连。
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