局部形成硅化金属层的方法

摘要

本发明主要是提供一方法以在集成电路上局部形成硅化金属层，并且避免同一字元线上存储器间形成硅化金属而造成遗漏电流现象。本发明的方法主要是利用设计法则适当地安排元件间的距离以达到目的。在一实施例中为在集成电路上形成硅化金属但是要避免在同一字元线上相邻存储器间形成硅化金属，则可事先在相邻两个存储器间的间隔区域内形成一介电层以作为幕罩层。如此则可在之后的选择性蚀刻步骤中保护在上述间隔区域内的硅底材避免裸露出来。故可避免于此间隔区域内形成硅化金属。而达到本发明之目的。

主权项

1.一种局部形成硅化金属层的方法，该方法至少包含下列步骤：提供一硅底材，在该硅底材上至少可区分为一阵列区域以及一周边区域；形成一第一介电层于该阵列区域内的硅底材上，以及多个第一晶体管于该第一介电层之上，其中该多个第一晶体管中相邻两栅极间有一第一间隔区域；形成多个第二晶体管于该周边区域内的底材之上，其中该多个第二晶体管中相邻两栅极间有一第二间隔区域，且该第二间隔区域大于该第一间隔区域；共形地沉积一第二介电层以覆盖该底材、该阵列区域、以及该周边区域；沉积一层第三介电层于该第二介电层之上，其中位于该第一间隔区域内的该第三介电层的厚度较其他地方的该第三介电层厚度大；进行一第一选择性蚀刻步骤以除去部分该第三介电层以裸露出位于该多个第一晶体管栅极上的该第二介电层，其中部分剩余的该第三介电层位于该第一间隔区域中；沉积一光阻层以覆盖该第三介电层与该第二介电层；除去位于周边区域的该光阻层；以该光阻层为一幕罩，进行一第二选择性蚀刻步骤以完全除去位于该周边区域之上的该剩余的第三介电层；除去该光阻层；进行一第三选择性蚀刻步骤以除去部分该第二介电层，以裸露在该周边区域的部分硅底材和该多个第一晶体管与该多个第二晶体管的每一个栅极的顶部表面，并形成该多个第一晶体管与该多个第二晶体管的每一个栅极的侧壁，其中在该第一间隔区域内的部分该第三介电层可作为一幕罩，故在该第一间隔区域内的部份该第二介电层会存留下来；沉积一金属层以覆盖该硅底材、该阵列区域、与该周边区域；进行一加热步骤以形成硅化金属；以及除去该金属层。