发明名称 光电元件及其制造方法
摘要 本发明涉及一种挠性光电元件及其制造方法。该光电元件(100b,200,300,400,500,1000,1100)包括至少两个覆盖层(101b,106b,722a,722b)和半材料,该半材料由至少两个电极层(102b,105b,2012,2063,3011,3062,4062)和至少一个电解质载体层(104b,208,308,408,1003)组成。该元件由所述的至少两个覆盖层和所述半材料的层压和/或挤压涂布的组件组成,所述的覆盖层包封所述的半材料。
申请公布号 CN1582501A 申请公布日期 2005.02.16
申请号 CN02822077.3 申请日期 2002.11.08
申请人 查尔摩斯技术转让AB 发明人 尼尔斯·托夫特
分类号 H01L31/04 主分类号 H01L31/04
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 郭国清;樊卫民
主权项 1.一种挠性光电元件(100b,200,300,400,500,1000,1100),其包括至少两个覆盖层(101b,106b,722a,722b)和半材料,所述半材料由至少两个电极层(102b,105b,2012,2063,3011,3062,4062)和至少一个电解质载体层(104b,208,308,408,1003)组成,其特征在于所述的元件由所述的至少两个覆盖层和所述半材料的层压和/或挤压涂布的组件组成,所述的覆盖层包封所述的半材料。
地址 瑞典哥德堡