发光二极管及半导体激光

摘要

虽可确认出于Sr₂Cu₂O₂膜上成膜n型ZnO并显现出二极管特性，然而未能确认出来自二极管的发光。本发明是于显示出已层合于透明基板上的发光特性的n型ZnO层上，层合Sr₂Cu₂O₂、CuAlO₂或CuGaO₂而成的p型半导体中的一种所形成的p-n接合而成为特征的半导体紫外线发光组件。透明基板为单晶基板，尤其以已平坦化成原子状的三氧化二钇部分安定化氧化锆(YSZ)(111)基板即可。于透明基板上，在基板温度200～1200℃成膜n型ZnO，再者于其上成膜由SrCu₂O、CuAlO₂或CuGaO₂而成的p型半导体层。在不加热基板下，成膜n型ZnO层，照射紫外线至该ZnO膜上，亦可进行结晶化。

主权项

1、一种发光二极管，其特征在于，在已层合于透明基板上的能带隙附近的固有发光的n型ZnO层上，层合由SrCu2O2、CuAlO2或CuGaO2而成的p型半导体中的一种形成p-n结，以形成紫外线发光二极管，该透明基板为已平坦化成原子状的三氧化二钇部分安定化氧化锆(111)单晶基板，在该透明基板上具有异质外延成长的铟锡氧化物层为透明负电极层，所述n型ZnO层为发光层，其通过异质外延成长于所述铟锡氧化物层上并具有1×1017-1×1020/cm3的载体浓度，所述p型半导体层为正孔植入层，于所述p型半导体层上具有由Ni层构成的正电极层。