| 发明名称 | 半导体元件 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体元件包含一具有一阱区的衬底、一设置在该阱区中的漏极扩散区与源极扩散区、一设置在该阱区表面的栅绝缘层、一设置在该栅绝缘层上的栅极、一设置在该阱区中的衬底接触扩散区以及绝缘槽。该衬底接触扩散区的导电型态与该阱区的导电型态相反。本发明的半导体元件可视为是由一金属氧化物半导体晶体管、一结二极管及一电气连接该金属氧化物半导体晶体管及结二极管的电阻构成。结二极管可视为由该衬底接触扩散区与该阱区构成，而该电阻则是该阱区的本征电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN1581487A | 申请公布日期 | 2005.02.16 |
| 申请号 | CN03149706.3 | 申请日期 | 2003.08.04 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 张耀文;卢道政 |
| 分类号 | H01L27/092;H01L29/78 | 主分类号 | H01L27/092 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 1.一种半导体元件，包含：一衬底、一设置在该衬底中的阱区、一设置在该阱区中的漏极扩散区与源极扩散区、一设置在该阱区表面的栅绝缘层、一设置在该栅绝缘层上的栅极、一设置在该阱区中的衬底接触扩散区，以及设置在该阱区中的至少一绝缘槽；该衬底接触扩散区的导电型态与该阱区的导电型态相反。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||