发明名称 |
采用CMOS技术中电流模式技术的精确电压/电流参考电路 |
摘要 |
一种电压/电流参考电路包括第一双极型晶体管各第二双极型晶体管,它们分别呈现出第一电压降V<SUB>BE1</SUB>和V<SUB>BE2</SUB>。第一电阻器具有电阻R1,其构成流过的第一电流等于(V<SUB>BE1</SUB>-V<SUB>BE2</SUB>)/R1。第二电阻器具有电阻R2,其构成流过的第二电流等于V<SUB>BE1</SUB>/R2。第一晶体管降第一和第二电阻器提供第一和第二电流。第二晶体管具有与第一晶体管相关的电流镜结构,直接提供等于(V<SUB>BE1</SUB>-V<SUB>BE2</SUB>)/R1+V<SUB>BE1</SUB>/R2的参考电流。第三晶体管具有与第一晶体管相关的电流镜结构,所提供的电流等于流过第三电阻器和第三双极型晶体管的参考电流,其中,第三电阻器具有电阻R3,以及第三双极型晶体管呈现出第三电压降V<SUB>BE3</SUB>,从而产生参考电压。 |
申请公布号 |
CN1581008A |
申请公布日期 |
2005.02.16 |
申请号 |
CN03154092.9 |
申请日期 |
2003.08.15 |
申请人 |
IDT-紐威技术有限公司 |
发明人 |
O·-Y·秦;H·杨;Y·F·谷 |
分类号 |
G05F3/02;G05F3/24 |
主分类号 |
G05F3/02 |
代理机构 |
上海专利商标事务所 |
代理人 |
李家麟 |
主权项 |
1.一种电流参考电路,其特征在于,它包括:第一双极型晶体管,它呈现出第一电压降VBE1;第二双极型晶体管,它呈现出第二电压降VBE2;第一电阻器,它具有电阻R1,所构成的第一电阻器使第一电流正比于(VBE1 -VBE2)/R1;第二电阻器,它具有电阻R2,所构成的第二电阻器使第二电流正比于VBE1/R2;构成第一晶体管,以提供第一和第二电流;采用第一晶体管的电流镜电路构成的第二晶体管,其中,第二晶体管提供正比于(VBE1-VBE2)/R1+VBE1/R2的参考电流。 |
地址 |
200233上海市宜山路900号技术大厦A区 |