发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
摘要 | 提供半导体器件(LSI芯片)及其制造方法,在通过划片将LSI芯片从晶片分离时,不发生破片(切断面断的欠缺),即使有也被减低到实际使用容许的程度。本发明的半导体器件,其特征在于,至少在半导体芯片的元件形成面及其背面的端部实施倒角,该倒角倾斜角度为θ时,在端部具有90°<θ<180°的倾斜面。另外,优选倒角倾斜角度为100°≤θ≤135°,尤其优选半导体芯片的四边的倒角倾斜角度θ都约为135°。按照本发明,通过划片将LSI芯片从晶片分离时,由于能够抑制在LSI芯片外周端部发生的破片,所以如果在IC卡和IC标签的安装中使用此芯片,则因构造简单而能够削减材料费和制作时间,特别能够制作可靠性高的薄型IC卡和可靠性高的薄型IC标签。 | ||
申请公布号 | CN1582486A | 申请公布日期 | 2005.02.16 |
申请号 | CN01823871.8 | 申请日期 | 2001.12.25 |
申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 田势隆;佐藤朗 |
分类号 | H01L21/301 | 主分类号 | H01L21/301 |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 胡建新 |
主权项 | 1.一种半导体器件,其特征在于,至少在半导体芯片的元件形成面及其背面的端部实施倒角,该倒角倾斜角度为θ时,在端部具有90°<θ<180°的倾斜面。 | ||
地址 | 日本东京都 |