发明名称 半导体器件及其制造方法
摘要 提供半导体器件(LSI芯片)及其制造方法,在通过划片将LSI芯片从晶片分离时,不发生破片(切断面断的欠缺),即使有也被减低到实际使用容许的程度。本发明的半导体器件,其特征在于,至少在半导体芯片的元件形成面及其背面的端部实施倒角,该倒角倾斜角度为θ时,在端部具有90°<θ<180°的倾斜面。另外,优选倒角倾斜角度为100°≤θ≤135°,尤其优选半导体芯片的四边的倒角倾斜角度θ都约为135°。按照本发明,通过划片将LSI芯片从晶片分离时,由于能够抑制在LSI芯片外周端部发生的破片,所以如果在IC卡和IC标签的安装中使用此芯片,则因构造简单而能够削减材料费和制作时间,特别能够制作可靠性高的薄型IC卡和可靠性高的薄型IC标签。
申请公布号 CN1582486A 申请公布日期 2005.02.16
申请号 CN01823871.8 申请日期 2001.12.25
申请人 株式会社日立制作所 发明人 田势隆;佐藤朗
分类号 H01L21/301 主分类号 H01L21/301
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 胡建新
主权项 1.一种半导体器件,其特征在于,至少在半导体芯片的元件形成面及其背面的端部实施倒角,该倒角倾斜角度为θ时,在端部具有90°<θ<180°的倾斜面。
地址 日本东京都