| 发明名称 | 机械性增强的焊接区界面及其方法 | ||
| 摘要 | 提供耐在用探针探测或封装操作期间会施加的外力的复合焊盘。复合焊盘包括在半导体衬底(100)上形成的非自钝化导电焊盘(134)。然后在导电焊盘上形成绝缘层(136)。去除部分绝缘层使该层有穿孔而露出一部分导电焊盘。留下的部分形成叠置在焊盘上的支撑结构(138)。然后在焊盘结构上面形成自钝化导电封顶层(204)，在这场合下绝缘层中的穿孔可以供封顶层和在下面的焊盘露出部分之间电接触用。支撑结构(138)构成保护封顶层和焊盘之间界面的机械阻挡层。 | ||
| 申请公布号 | CN1189930C | 申请公布日期 | 2005.02.16 |
| 申请号 | CN00130967.6 | 申请日期 | 2000.11.21 |
| 申请人 | 自由度半导体公司 | 发明人 | 斯科特·K·鲍兹德尔;托马斯·S·科巴亚西 |
| 分类号 | H01L21/60;H01L21/28;H01L21/768;H01L23/50 | 主分类号 | H01L21/60 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜日新 |
| 主权项 | 1.一种制作半导体器件的方法，其特征在于包括步骤：在半导体衬底(100)上形成导电焊接区(134)；在导电焊接区(134)上形成绝缘层(136)；去除部分绝缘层(136)，其中绝缘层(136)的去除部分形成叠置在导电焊接区(134)上的多个支撑结构(138)，并且其中绝缘层(136)的去除部分使一部分导电焊接区(134)露出；形成叠置在多个支撑结构(138)上的导电封顶层(204)，其中导电封顶层(204)电接触一部分导电焊接区(134)；和在导电焊接区(134)内形成绝缘柱(302)，其中至少一部分支撑结构(138)叠置在一部分绝缘柱(302)上。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯 | ||