| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 提供了制造稳定工作的高质量P沟道沟槽MOSFET的方法。在制造具有P型栅电极的P沟道沟槽MOSFET的方法中，其中BF<SUB>2</SUB>离子注入到多晶硅膜中以及之后进行热处理的工艺多次进行，以便由此形成栅电极，因此可以提供稳定工作的高质量P沟道沟槽MOSFET。 | ||
| 申请公布号 | CN1581451A | 申请公布日期 | 2005.02.16 |
| 申请号 | CN200410055674.8 | 申请日期 | 2004.08.02 |
| 申请人 | 精工电子有限公司 | 发明人 | 小山内润 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L29/786 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1.一种制造P沟道MOSFET的方法，包括：在N型半导体衬底内形成沟槽；在沟槽的内表面上形成栅氧化膜；在半导体衬底上沉积第一多晶硅膜；通过利用离子注入法将BF2离子注入到第一多晶硅膜中，并进行第一次热处理；在第一多晶硅膜上沉积第二多晶硅膜；通过利用离子注入法将BF2离子注入到第二多晶硅膜中，并进行第二次热处理；在第二多晶硅膜上沉积第三多晶硅；以及通过利用离子注入法将BF2离子注入到第三多晶硅膜中，并进行第三次热处理； | ||
| 地址 | 日本千叶县 | ||