| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体器件包括：半导体衬底(11)；多个凸点电极(16)，形成在所述半导体衬底(11)上；以及密封膜(21)，形成在所述凸点电极(16)间的所述半导体衬底(11)上，具有处于比所述凸点电极(16)的上表面高的位置的上表面、和露出所述各凸点电极(16)的上表面的开口部(19)。 | ||
| 申请公布号 | CN1189939C | 申请公布日期 | 2005.02.16 |
| 申请号 | CN02107456.9 | 申请日期 | 2002.03.19 |
| 申请人 | 卡西欧计算机株式会社 | 发明人 | 木崎正康 |
| 分类号 | H01L23/48;H01L21/28;H01L21/60 | 主分类号 | H01L23/48 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 黄剑锋 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于包括：半导体衬底(11)；多个凸点电极(16)，形成在所述半导体衬底(11)上；第1密封膜(17)，形成在所述凸点电极(16)间的所述半导体衬底(11)上，上表面与所述凸点电极(16)的上表面为同一表面；以及第2密封膜(18)，形成在所述第1密封膜(17)上，在与所述凸点电极(16)的上表面对应的位置上有开口部(19)。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||