| 发明名称 |
Ion implantation apparatus suited for low energy ion implantation and tuning method therefor |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2375226(B) |
申请公布日期 |
2005.02.16 |
| 申请号 |
GB20020001262 |
申请日期 |
2002.01.21 |
| 申请人 |
* SUMITOMO EATON NOVA CORPORATION |
发明人 |
MITSUKUNI * TSUKIHARA;MITSUAKI * KABASAWA;YUJI * TAKAHASHI;MICHIRO * SUGITANI |
| 分类号 |
C23C14/48;H01J27/02;H01J37/08;H01J37/317;H01L21/265;(IPC1-7):H01J37/317 |
主分类号 |
C23C14/48 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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