| 发明名称 |
HALBLEITERVORRICHTUNG MIT LEITERBAHNEN UND BARRIEREN GEGEN PARASITÄRE STRÖME |
| 摘要 |
In an embodiment a substrate 14 is patterned to have high and low conductive areas 110, 112, respectively. Metal lines 104, 108 in dielectric layer 16 pass transversely over the areas 110, 112. The areas 112 interrupt parasitic inductive current induced in the substrate 14. <IMAGE> |
| 申请公布号 |
AT287574(T) |
申请公布日期 |
2005.02.15 |
| 申请号 |
AT19990402081T |
申请日期 |
1999.08.18 |
| 申请人 |
HARRIS CORPORATION |
发明人 |
LOWTHER, REX;YOUNG, WILLIAM |
| 分类号 |
H01L23/52;H01L21/3205;H01L23/522;(IPC1-7):H01L23/64 |
主分类号 |
H01L23/52 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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