| 主权项 |
1.一种捷克拉尔斯基法(以下,CZ法)单结晶铸块制造装置,自坩埚内之原料熔液拉起单结晶铸块,且在炉内具备围绕拉起中之单结晶铸块(以下,拉起单结晶铸块)而遮蔽来自熔液液面之辐射热之热遮蔽体和配置于该热蔽体内侧并冷却该拉起单结晶铸块之既定处用以调整该单结晶铸块之结晶缺陷之冷却器,其特征在于:该冷却器由冷却水流通之冷却配管构成,而且配置于该热遮蔽体内侧之一部分。2.如申请专利范围第1项之CZ法单结晶铸块制造装置,其中该冷却器系冷却水流通之冷却配管,围绕该单结晶拉起铸块,而且冷却器之内径比该热遮蔽体之内径大。3.如申请专利范围第1或2项之CZ法单结晶铸块制造装置,其中该冷却配管之下端位于距离矽熔液液面为150mm以下之位置。4.如申请专利范围第1或2项之CZ法单结晶铸块制造装置,其中以单独或组合各自具备至少一个如下之任一侦测装置:装在CZ炉之排气路径内之温度感测器;追踪进行CZ炉内之排气之泵之抽气量之追踪装置;以及装在CZ炉内或CZ炉之排气路径内之量测红外线吸光度之感测器。5.如申请专利范围第1或2项之CZ法单结晶铸块制造装置,其中包括对该坩埚内之原料熔液内施加磁场之磁场作用装置。6.如申请专利范围第5项之CZ法单结晶铸块制造装置,其中该磁场作用装置系对该原料熔液内产生等轴对称而且放射状之尖点磁场之磁场作用装置。7.如申请专利范围第1项所述之CZ法单结晶铸块制造装置,其中该冷却配管之设定方法之特征在于:藉着将该冷却配管下端位置之液面高度设在低于150mm以下,该冷却配管内径小于17mm以下,而且按照该拉起单结晶铸块之直径调整该冷却水之流通速度,提高该拉起单结晶铸块在拉起方向之温度梯度,同时提高装置之安全性,而且提高该配管之配置之弹性。8.如申请专利范围第7项之CZ法单结晶铸块制造装置,其中该冷却配管配置于炉内之该热遮蔽体内侧之一部分。9.如申请专利范围第1项所述之CZ法单结晶铸块制造装置,其中该拉起单结晶铸块之温度梯度调整方法之特征在于:藉着在该热遮蔽体内侧之一部分配置冷却器,调整该拉起单结晶铸块在拉起方向之温度梯度。10.如申请专利范围第1或2项之CZ法单结晶铸块制造装置,其中该冷却器在该单结晶拉起铸块侧之表面进行令吸热性提高之处理。11.如申请专利范围第10项之CZ法单结晶铸块制造装置,其中该吸热性提高之处理包括黑色之着色处理。12.如申请专利范围第11项之CZ法单结晶铸块制造装置,其中该黑色之着色处理利用PVD法进行。13.如申请专利范围第9项之CZ法单结晶铸块制造装置,其中藉着使用在该单结晶拉起铸块侧之表面进行令吸热性提高之处理之冷却器,在提高利用冷却器之吸热效果下,调整该单结晶拉起铸块在拉起方向之温度梯度。图式简单说明:图1系表示本发明之矽单结晶铸块制造装置之适合之实施形态之方块图。 |
