| 主权项 |
1.一种制作闸极之方法,包含有:提供一半导体基底,并于该半导体基底上依序形成一闸极绝缘层、一多晶矽层、一矽化金属(silicate)层及一顶盖层(cap layer);蚀刻部分该顶盖层、该矽化金属层及该多晶矽层并停止于该多晶矽层上,以形成一堆叠闸极(stackedgate)结构;去除该堆叠闸极侧壁上曝露出之部分该矽化金属层,以于该堆叠闸极侧壁上形成一缺口;于该缺口内填入一保护层;以及去除该堆叠闸极侧壁外剩余之该多晶矽层及该闸极绝缘层。2.如申请专利第1项所述之制作闸极之方法,其中形成该堆叠闸极结构的方法包含有:于该顶盖层上涂布一光阻层;利用一光罩进行一曝光及显影制程,去除部分该光阻层以形成一图案化光阻图案;以及利用该图案化光阻图案作为一硬罩幕,去除未被该图案化光阻图案覆盖之该顶盖层、该矽化金属层及部分该多晶矽层。3.如申请专利第2项所述之制作闸极之方法,去除该堆叠闸极侧壁外剩余之该多晶矽层及该闸极绝缘层后另包含有一去除该图案化光阻层的步骤。4.如申请专利第1项所述之制作闸极之方法,其中形成该堆叠闸极结构的方法包含有:于该顶盖层上形成一图案化氮氧化矽层;以及利用该图案化氮氧化矽层作为一硬罩幕,去除未被该图案化氮氧化矽层覆盖之该顶盖层、该矽化金属层及部分该多晶矽层。5.如申请专利第4项所述之制作闸极之方法,去除该堆叠闸极侧壁外剩余之该多晶矽层及该闸极绝缘层后另包含有一去除该图案化氮氧化矽层的步骤。6.如申请专利第1项所述之制作闸极之方法,其中该矽化金属层包含有矽化钨。7.如申请专利第1项所述之制作闸极之方法,其中该缺口系利用一APM(ammonium hydrogen peroxide mixture)溶液去除部分该矽化金属层所形成。8.如申请专利第1项所述之制作闸极之方法,其中该保护层包含有氮化矽。9.如申请专利第1项所述之制作闸极之方法,其中于该缺口填入该保护层之方法包含有:于该多晶矽层上沉积一氮化矽层,并填满该缺口;以及进行一非等向性(anisotropic)蚀刻制程去除该缺口外之该氮化矽层。10.一种制作闸极之方法,包含有:提供一半导体基底,并于该半导体基底上依序形成一闸极绝缘层、一多晶矽层、一矽化金属(silicate)层及一顶盖层(cap layer);于该顶盖层上形成一图案化遮罩层(pattern mask layer),蚀刻未被该图案化遮罩层覆盖之该顶盖层、该矽化金属层及部分该多晶矽层并停止于该多晶矽层,以形成一堆叠闸极(stacked gate)结构;利用一蚀刻液去除该堆叠闸极侧壁上曝露出之部分该矽化金属层,以形成一缺口;于该多晶矽层上沉积一保护层填满该缺口,并进行一非等向性(anisotropic)蚀刻制程去除该缺口外之该保护层;去除未被该图案化遮罩层覆盖之该多晶矽层及该闸极绝缘层;以及去除该图案化遮罩层。11.如申请专利第10项所述之制作闸极之方法,其中该图案化遮罩层包含有氮氧化矽。12.如申请专利第10项所述之制作闸极之方法,其中形成该图案化遮罩层之方法包含有:于该顶盖层上形成一氮氧化矽层;于该氮氧化矽层上涂布一光阻层;利用一光罩进行一曝光及显影制程,去除部分该光阻层以形成一图案化光阻图案;利用该图案化光阻图案作为一硬罩幕,去除未被该图案化光阻图案覆盖之该氮氧化矽层;以及去除该图案化光阻图案。13.如申请专利第10项所述之制作闸极之方法,其中该矽化金属层包含有矽化钨。14.如申请专利第10项所述之制作闸极之方法,其中该蚀刻液系为一APM(ammonium hydrogen peroxide mixture)溶液。15.如申请专利第10项所述之制作闸极之方法,其中该保护层包含有氮化矽。图式简单说明:图一及图二为习知制作闸极之方法示意图。图三至图五为习知形成位元线之方法示意图。图六至图十为本发明制作闸极之方法示意图。 |
