发明名称 高拒斥比陶瓷带通滤波器
摘要 本发明系关于一种高拒斥比陶瓷带通滤波器,由上至下包括:一传输线层、一上接地层、复数个电容层及一下接地层。各层均具有一基底及至少一金属片形成于各该基底之一表面上。该传输线层具有复数个传输金属片。各该电容层具有一金属电极片,各该金属电极片分别与该传输线层之各该传输金属片电气连接。藉此,该等电容层分别与上接地层或下接地层形成电容效应,且该等电容层间交互形成电容效应,再与传输线层连接,而可作为一带通滤波器。本发明之带通滤波器系利用多层结构之耦合特性,再加电容性交越耦合以达到高拒斥比特性,故可滤除低频部分之杂讯。
申请公布号 TWI227962 申请公布日期 2005.02.11
申请号 TW090126900 申请日期 2001.10.30
申请人 国巨股份有限公司;张志扬 CHANG, CHI YANG 台北市内湖区成功路4段43号4楼 发明人 张志扬;汤敬文
分类号 H03H7/01 主分类号 H03H7/01
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种高拒斥比陶瓷带通滤波器,包括:一传输线层,具有一基底及复数个传输金属片,该等传输金属片形成于该传输线层之该基底之一表面上;一上接地层,具有一基底及一上接地金属片,该上接地金属片形成于该上接地层之该基底之一表面上,该上接地层设置于该传输线层之下;复数个电容层,各该电容层具有一基底及一金属电极片,各该金属电极片形成于各该基底之一表面上,并分别与该传输线层之各该传输金属片电气连接,该等电容层设置于该上接地层之下;及一下接地层,具有一基底及一下接地金属片,该下接地金属片形成于该下接地层之该基底之一表面上,该下接地层设置于该等电容层之下。2.如申请专利范围第1项之带通滤波器,其中该等传输金属片包括:一第一传输金属片、一第二传输金属片及一第三传输金属片,三个传输金属片呈平行设置,该第一传输金属片连接至一第一输出入埠金属片,该第三传输金属片连接至一第二输出入埠金属片。3.如申请专利范围第2项之带通滤波器,其中该等电容层包括:一第一电容层,具有一基底及一第一金属电极片,该第一金属电极片与该第二传输金属片电气连接,该第一电容层设置于该上接地层之下;一第二电容层,具有一基底及一第二金属电极片,该第二金属电极片与该第一传输金属片电气连接,该第二电容层设置于该第一电容层之下;一第三电容层,具有一基底及一第三金属电极片,该第三金属电极片与该第三传输金属片电气连接,该第三电容层设置于该第二电容层之下;一第四电容层,具有一基底及一第四金属电极片,该第四金属电极片与该第二传输金属片电气连接,该第四电容层设置于该第三电容层之下。4.如申请专利范围第2项之带通滤波器,其中该等电容层包括:一第一电容层,具有一基底及一第一金属电极片,该第一金属电极片与该第一传输金属片电气连接,该第一电容层设置于该上接地层之下;一第二电容层,具有一基底及一第二金属电极片,该第二金属电极片与该第二传输金属片电气连接,该第二电容层设置于该第一电容层之下;及一第三电容层,具有一基底及一第三金属电极片,该第三金属电极片与该第三传输金属片电气连接,该第三电容层设置于该第二电容层之下。5.如申请专利范围第4项之带通滤波器,另包括一第一带线及一第二带线,其中第一带线连接至该第一输出入埠金属片,该第二带线连接至该第二输出入埠金属片,该第一带线形成于该第一电容层之该基底之一表面上,该第二带线形成于该第三电容层之该基底之一表面上。6.如申请专利范围第1项之带通滤波器,另包括一空层,覆盖于该传输线层之上,该空层具有一基底。7.如申请专利范围第1项之带通滤波器,另包括复数个侧面电极片,用以作为各层间之电气连接。图式简单说明:图1为本发明第一实施例之带通滤波器之立体分解图;图2为本发明第二实施例之带通滤波器之立体分解图;图3为本发明之带通滤波器之等效电路图;图4为本发明之带通滤波器之电磁模拟结果图;图5为本发明第三实施例之带通滤波器之立体分解图;及图6为本发明第三实施例之等效电路图。
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