| 主权项 |
1.一种多域液晶显示装置,具有:被夹持于一对基板之间的液晶;及形成于该基板之一方侧并朝横向延伸之多条闸极滙流排线与朝纵向延伸之多条汲极滙流排线;多个像素在与该闸极滙流排线和该汲极滙流排线之各交点对应的配置成阵列状,在该像素各自具备切换元件、像素电极以及用以对于该液晶令产生斜向之电场而在一个像素内形成多个定向区域之控制电极之多域液晶显示装置;其特征在于:该控制电极和该切换元件之一个端子连接,该像素电极在和该控制电极之间具有耦合电容;在选择对应之该闸极滙流排线时,信号电压自对应之该汲极滙流排线经由对应之该切换元件作用于该控制电极,该信号电压之分压经由该耦合电容作用于该像素电极。2.如申请专利范围第1项之多域液晶显示装置,其中,该像素电极和该控制电极系隔着绝缘膜,配置成以该像素电极位于下层。3.如申请专利范围第1项之多域液晶显示装置,其中,在该像素电极形成有开口部。4.如申请专利范围第3项之多域液晶显示装置,其中,该控制电极自该开口部令控制该液晶之定向状态之电场产生作用。5.如申请专利范围第1项之多域液晶显示装置,其特征在于具备用以对该像素电极附加电容之共用电容线。6.如申请专利范围第5项之多域液晶显示装置,其中,在相当于该开口部之位置配置该共用电容线。7.如申请专利范围第5项之多域液晶显示装置,其中,在该像素电极和该共用电容线之间具备既定电容之附加电容。8.如申请专利范围第1项之多域液晶显示装置,其中,该控制电极之至少一部分由透明电极构成。9.如申请专利范围第8项之多域液晶显示装置,其中,该控制电极在液晶层之两侧各自具有四分之一波长板,配置成令该四分之一波长板之光轴相正交。10.如申请专利范围第1项之多域液晶显示装置,其中,在该液晶之两侧各自具有四分之一波长板,配置成令该四分之一波长板之光轴相正交。11.如申请专利范围第1项至第10项其中任一项之多域液晶显示装置,其中,该切换元件系底闸极构造之TFT。12.如申请专利范围第1项至第10项其中任一项之多域液晶显示装置,其中,该切换元件系顶闸极构造之TFT。13.如申请专利范围第11项之多域液晶显示装置,其中,该绝缘膜和保护该TFT之绝缘膜形成一体。14.如申请专利范围第12项之多域液晶显示装置,其中,该控制电极和该TFT之源极端子形成一体。15.如申请专利范围第3项之多域液晶显示装置,其中,该开口部形成窗形。16.如申请专利范围第3项之多域液晶显示装置,其中,该开口部系自该像素电极之一侧或两侧加工缺口而形成。17.如申请专利范围第1项之多域液晶显示装置,其中,在该像素电极和该控制电极之间具备有用以将该像素电极所储存之电荷放电之电阻元件。18.如申请专利范围第17项之多域液晶显示装置,其中,该电阻元件具有实质上为有限之电阻値。19.如申请专利范围第5项之多域液晶显示装置,其中,在该像素电极和该共用电容线之间具备实质上为有限之电阻値之电阻元件。20.如申请专利范围第1项之多域液晶显示装置,其中,该液晶之动作模式系令具有正之电介质常数异方性之液晶扭转定向之TN模式。21.如申请专利范围第20项之多域液晶显示装置,其中,该液晶系自动旋转性。22.如申请专利范围第20项之多域液晶显示装置,其中,该液晶系非自动旋转性。23.如申请专利范围第1项之多域液晶显示装置,其中,该液晶之动作模式系令具有正之电介质常数异方性之液晶均匀的定向之均质模式。24.如申请专利范围第1项之多域液晶显示装置,其中,该液晶之动作模式系令具有负之电介质常数异方性之液晶垂直定向之VA模式。25.如申请专利范围第1项之多域液晶显示装置,其中,该像素电极系由以四角形构成之多个微小像素电极形成,沿着该四角形之一边配置控制电极,剩下之三边成为开口部或像素电极端部。26.如申请专利范围第1项之多域液晶显示装置,其中,该像素电极系由以四角形构成之多个微小像素电极形成,沿着该四角形之二边配置控制电极,剩下之二边成为开口部或像素电极端部。27.如申请专利范围第25或26项之多域液晶显示装置,其中,该四角形系由约略正方形构成。28.如申请专利范围第1、2或3项之多域液晶显示装置,其中,该像素电极系由以三角形构成之多个微小像素电极形成,沿着该三角形之二边配置控制电极,剩下之一边成为开口部或像素电极端部开口部。29.如申请专利范围第1、2或3项之多域液晶显示装置,其中,该像素电极系由以三角形构成之多个微小像素电极形成,沿着该三角形之一边配置控制电极,剩下之二边成为开口部或像素电极端部开口部。30.如申请专利范围第1、2或3项之多域液晶显示装置,其中,该像素电极系由以五角形构成之多个微小像素电极形成,沿着该五角形之二边配置控制电极,剩下之三边成为开口部或像素电极端部开口部。31.如申请专利范围第1项之多域液晶显示装置,其中,该像素电极系由2种以上,彼此形状互异之微小像素电极组合而成。32.如申请专利范围第27项之多域液晶显示装置,其中,以共用电极之电压为基准,作用于该控制电极之控制电极电压和作用于该像素电极之像素电极电压之比段为1.1-1.4。33.如申请专利范围第32项之多域液晶显示装置,其中,该控制电极电压和像素电极电压之比设为1.2-1.4。34.如申请专利范围第33项之多域液晶显示装置,其中,该控制电极电压和像素电极电压之比设为1.3。35.如申请专利范围第27项之多域液晶显示装置,其中,液晶成为单一定向之微小定向区域之尺寸系20m平方以下。36.如申请专利范围第27项之多域液晶显示装置,其中,液晶成为单一定向之微小定向区域之尺寸系40m平方以上。37.如申请专利范围第27项之多域液晶显示装置,其中,液晶成为单一定向之微小定向区域之尺寸系20-40m平方。38.如申请专利范围第11项之多域液晶显示装置,其中,藉着经由闸极绝缘膜令和该像素电极或控制电极之某一方在电气上连接之耦合电容端子和未与该耦合电容端子连接之另一方之某一电极重叠,构成该耦合电容之至少一部分。39.如申请专利范围第7项之多域液晶显示装置,其中,藉着经由保护绝缘膜令和该像素电极或共用电容线之某一方在电气上连接之附加电容端子和未与该附加电容端子连接之另一方之某一电极重叠,构成该附加电容之至少一部分。40.如申请专利范围第7项之多域液晶显示装置,其中,藉着经由闸极绝缘膜令和该像素电极或共用电容线之某一方在电气上连接之附加电容端子和未与该附加电容端子连接之另一方之某一电极重叠,构成该附加电容之至少一部分。41.如申请专利范围第1项之多域液晶显示装置,其中,在和任意之像素之前段对应之闸极滙流排线配置用以将该像素电极所储存之电荷放电之放电用元件。42.如申请专利范围第41项之多域液晶显示装置,其中,除去和设于该像素电极之开口部之中之来自配置于下层之控制电极之控制电场作用之开口部对应之部位之保护绝缘膜。43.一种多域液晶显示装置,具有被夹持于一对基板之间之液晶和在该基板之一方侧配置成阵列状之多个像素,在该像素各自具备:切换元件;像素电极;及控制电极,用以对于该液晶令产生斜向之电场,而在一个像素内形成多个定向区域;其特征在于:该控制电极和该切换元件之一个端子连接,该像素电极在和该控制电极之间具有耦合电容;信号电压经由对应之该切换元件作用于该控制电极,该信号电压之分压经由该耦合电容作用于该像素电极。44.一种多域液晶显示装置,具有:液晶,被夹持于一对基板之间;及复数个像素,成矩阵状配置于该基板之一侧;且该每一个像素分别具备:切换元件;像素电极;及控制电极,用以产生相对于该液晶为斜向之电场,而在一个像素内形成多个定向区域,其特征为:该控制电极和该切换元件之一端子连接,且该像素电极与该控制电极之间具有耦合电容。45.一种多域液晶显示装置,具有:液晶,被夹持于一对基板之间;及复数个像素,成矩阵状配置于该基板之一侧;且该每一个像素分别具备:切换元件;像素电极;及控制电极,用以产生相对于该液晶为斜向之电场,而在一个像素内形成多个定向区域;其特征为:该控制电极和该切换元件之一端子连接,且该像素电极在和该控制电极之间具有耦合电容;施加于该控制电极之电压,和施加于该像素电极之电压两者相较之下,前者之绝对値更大,藉此以产生斜向电场,从该控制电极向外侧扩张,且在一个像素内形成复数个定向区域。46.一种多域液晶显示装置,具有:液晶,被夹持于一对基板之间;及复数个像素,在该基板之一侧配置成矩阵状;且该每一个像素分别具备:切换元件;像素电极;及控制电极,用以产生相对于该液晶为斜向之电场,而在一个像素内形成多个定向区域;其特征为:该控制电极和该切换元件之一端子连接,且该像素电极在和该控制电极之间具有耦合电容;由于透过该耦合电容的电压分配之作用,使施加于该控制电极之电压比施加于该像素电极之电压的绝对値更大,藉此以产生斜向电场,从该控制电极向外侧扩张,且在一个像素内形成复数个定向区域。47.一种多域液晶显示装置,具有:液晶,被夹持于一对基板之间;及复数个像素,成矩阵状配置于该基板之一侧;该每一个像素分别具备切换元件及像素电极;且藉由斜向的电场,使复数个定向区域在一个像素内形成;其特征为:液晶成为单一定向之微小定向区域之尺寸系20m平方以下。48.一种多域液晶显示装置,具有:液晶,被夹持于一对基板之间;及复数个像素,成矩阵状配置于该基板之一侧;该每一个像素分别具备:切换元件;及像素电极;且藉由斜向的电场,使复数个定向区域在一个像素内形成;其特征为:液晶成为单一定向之微小定向区域之尺寸系40m平方以上。49.一种多域液晶显示装置,具有:液晶,被夹持于一对基板之间;及复数个像素,成矩阵状配置于该基板之一侧;该每一个像素分别具备:切换元件;及像素电极;且藉由斜向的电场,使复数个定向区域在一个像素内形成;其特征为:液晶成为单一定向之微小定向区域之尺寸系20m至40m平方。图式简单说明:图1系在模式上表示本发明之实施例1之多域液晶显示装置之像素之构造之平面图。图2系在图1之A-A'之模式上之部分剖面图。图3系在图1之B-B'之模式上之部分剖面图。图4系在图1之C-C'之模式上之部分剖面图。图5系该多域液晶显示装置之像素之等价电路图。图6系按顺制程顺序表示该多域液晶显示装置之制造方法之制程图。图7系按顺制程顺序表示该多域液晶显示装置之制造方法之制程图。图8系在模式上表示本发明之实施例2之多域液晶显示装置之像素之构造之平面图。图9系在图8之D-D'之模式上之部分剖面图。图10系在图8之E-E'之模式上之部分剖面图。图11系在模式上表示在该多域液晶显示装置之多域状之液晶定向。图12系在模式上表示和在该多域液晶显示装置之多域状之定向状态对应之透射光之状况之图。图13系在模式上表示本发明之实施例3之多域液晶显示装置之像素之构造之平面图。图14系该多域液晶显示装置之像素之等价电路图。图15系该多域液晶显示装置之变形例之像素之等价电路图。图16系在模式上表示本发明之实施例4之多域液晶显示装置之像素之构造之部分剖面图。图17系在模式上表示本发明之实施例5之多域液晶显示装置之像素之构造之平面图。图18系在图17之F-F'之模式上之部分剖面图。图19系在图17之G-G'之模式上之部分剖面图。图20系表示本发明之实施例6之多域液晶显示装置之像素电极和控制电极之组合例之平面形状之图。图21系表示在该多域液晶显示装置之像素电极和控制电极之组合例之基本构造之平面形状之图。图22系表示在该多域液晶显示装置之像素电极和控制电极之组合例之基本构造之平面形状之图。图23系将该基本构造应用于该多域液晶显示装置之例子之平面形状之图。图24系表示该多域液晶显示装置之像素之定向状态之显微镜照片。图25系表示该多域液晶显示装置之像素之定向状态之显微镜照片。图26系表示该多域液晶显示装置之像素之定向状态之显微镜照片。图27系表示该多域液晶显示装置之像素之定向状态之显微镜照片。图28系表示该多域液晶显示装置之像素之定向状态之显微镜照片。图29系表示该多域液晶显示装置之像素之定向状态之显微镜照片。图30系表示该多域液晶显示装置之像素之定向状态之显微镜照片。图31系表示本发明之实施例7之多域液晶显示装置显示时之像素之显微镜照片。图32系该多域液晶显示装置显示时之像素之显微镜照片。图33系该多域液晶显示装置显示时之像素之显微镜照片。图34系该多域液晶显示装置显示时之像素之显微镜照片。图35系在本发明之实施例8之多域液晶显示装置之实验用液晶单元切换电压后自暗状态变成明状态之显微镜照片。图36系在该多域液晶显示装置之比较用液晶单元切换电压后自暗状态变成明状态之显微镜照片。图37系在模式上表示本发明之实施例9之多域液晶显示装置之像素之构造之平面图。图38系在图37之H-H'之模式上之部分剖面图。图39系在图37之I-I'之模式上之部分剖面图。图40系在图37之J-J'之模式上之部分剖面图。图41系按顺制程顺序表示该多域液晶显示装置之制造方法之制程图。图42系按顺制程顺序表示该多域液晶显示装置之制造方法之制程图。图43系按顺制程顺序表示该多域液晶显示装置之制造方法之制程图。图44系在模式上表示本发明之实施例10之多域液晶显示装置之像素之构造之平面图。图45系在图44之K-K'之模式上之部分剖面图。图46系在图44之L-L'之模式上之部分剖面图。图47系在模式上表示习知之多域液晶显示装置之像素之构造之部分剖面图。 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