| 主权项 |
1.一种用于读出一由图素(pixel)提供之一光电讯号与一重定讯号之行读出电路,该电路包括:一重定讯号支线(branch),该重定讯号支线(branch)包括一具有一第一端点(terminal)与一第二端点之第一金氧半电晶体(MOS)电容器,该第二端点选择性地连接到一基准高压,该第一电容器选择性地连接到该图素与一基准低压;以及一光电讯号支线(branch),该光电讯号支线(branch)包括一具有第一端点与一第二端点之一第二金氧半电晶体(MOS)电容器,该第二端点选择性地连接到该基准高压,该第一电容器选择性地连接到该图素与该基准低压。2.如申请专利范围第1项之行读出电路,其中该第一与第二金氧半电晶体(MOS)电容器系工作于三极区(triode region)。3.如申请专利范围第1项之行读出电路,其中该图素包括选自于由下述光电二极体、光闸(photogate)或钉紮光电二极体(pinned photodiode)组成之族群中之一光感元件。4.如申请专利范围第1项之行读出电路,更包括一用于接收来自该第一金氧半电晶体(MOS)电容器之该第二端点的第一讯号与来自该第二金氧半电晶体(MOS)电容器之该第二端点的第二讯号作输入的差分放大器(differential amplifier)。5.如申请专利范围第4项之行读出电路,更包括在该第一和第二金氧半电晶体(MOS)电容器与该差分放大器之间设置缓冲器(buffers)。6.如申请专利范围第1项之行读出电路,其中该基准高压与该光电讯号或重定讯号的一最大値之间的差値大于该第一或第二金氧半电晶体(MOS)电容器的一起始电压(threshold voltage)。7.一种从一图素读出光电讯号之方法,包括:耦接该光电讯号到一金氧半电晶体(MOS)电容器之一第一端点上;设置一基准高压到该金氧半电晶体(MOS)电容器之一第二端点上;耦接该金氧半电晶体(MOS)电容器之该第一端点到一基准低压,使得该光电讯号透过该金氧半电晶体(MOS)电容器并藉由电容性耦接该金氧半电晶体(MOS)电容器之该第二端点而转移;以及读取从该金氧半电晶体(MOS)电容器之该第二端点之该光电讯号。8.如申请专利范围第7项之从一图素读出光电讯号之方法,其中该金氧半电晶体(MOS)电容器系工作于三极区(triode region)。9.如申请专利范围第7项之从一图素读出光电讯号之方法,其中该金氧半电晶体(MOS)电容器之该第二端点上之该光电讯号系提供给一差分放大器之一输入。10.如申请专利范围第9项之从一图素读出光电讯号之方法,其中该金氧半电晶体(MOS)电容器之该第二端点上之该光电讯号系透过一缓冲器而提供给该差分放大器。11.如申请专利范围第7项之从一图素读出光电讯号之方法,其中该基准高压与该光电讯号的一最大値之间的差値系大于该金氧半电晶体(MOS)电容器的一起始电压(threshold voltage)。12.如申请专利范围第7项之从一图素读出光电讯号之方法,更包括:耦接一重定讯号到一第二金氧半电晶体(MOS)电容器之一第一端点上;设置该基准高压到该第二金氧半电晶体(MOS)电容器之一第二端点上;耦接该第二金氧半电晶体(MOS)电容器之该第一端点到该基准低压,使得该重定讯号透过该第二金氧半电晶体(MOS)电容器并藉由电容性耦接该第二金氧半电晶体(MOS)电容器之该第二端点而转移;以及读取从该第二金氧半电晶体(MOS)电容器之该第二端点之该重定讯号。13.如申请专利范围第12项之从一图素读出光电讯号之方法,进一步地,其中该第二金氧半电晶体(MOS)电容器系工作于三极区(triode region)。14.如申请专利范围第12项之从一图素读出光电讯号之方法,其中该第二金氧半电晶体(MOS)电容器之该第二端点上之该重定讯号系提供给一差分放大器之一输入。15.如申请专利范围第14项之从一图素读出光电讯号之方法,其中该第二金氧半电晶体(MOS)电容器之该第二端点上之该重定讯号系透过一缓冲器而提供给该差分放大器。16.如申请专利范围第12项之从一图素读出光电讯号之方法,其中该基准高压与该重定讯号的一最大値之间的差値系大于该第二金氧半电晶体(MOS)电容器的一起始电压(threshold voltage)。图式简单说明:第一图是根据本发明之形成一读出电路之一示意图;第二A至第二H图是显示图一之读出电路之不同开关之操作时间图;第三A至第三E图是显示图一于读出电路操作期间之读出电路之不同节点之电压位准。 |
