| 发明名称 |
DIPOSITIF DE MEMOIRE A SEMICONDUCTEUR HAUTE DENSITE ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2782415(B1) |
申请公布日期 |
2005.02.11 |
| 申请号 |
FR19990002409 |
申请日期 |
1999.02.26 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD |
发明人 |
KI NAM KIM |
| 分类号 |
H01L21/8242;H01L27/108;H01L27/12;(IPC1-7):H01L21/84 |
主分类号 |
H01L21/8242 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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