| 发明名称 |
TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP DE TYPE METAL-OXYDE-SEMICONDUCTEUR A SILLICIUM SUR ISOLANT ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2812970(B1) |
申请公布日期 |
2005.02.11 |
| 申请号 |
FR20010010647 |
申请日期 |
2001.08.09 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD |
发明人 |
PARK SUNG BAE;KIM JUN;KIM EUN HAN;KANG HEE SUNG;KIM YOUNG WUG |
| 分类号 |
H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/336 |
主分类号 |
H01L29/786 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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