| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen eines Flashspeicherbauelements. In einem Flashspeicherbauelement, gebildet durch Anwenden eines selbstausrichtenden flachen Grabenisolations(SA-STI)-Schemas, werden ein Polierprozess und ein Prozess zum Enfernen eines Nitridfilms ausgeführt, nachdem Oxidmaterialien in den Isoliergräben vergraben wurden. Dann werden Oxidfilme mit einer exzellenten Ebenheit gebildet, ein erster Ätzprozess durch selektives Entfernen der Oxidfilme in einem Niederspannungstransistor/Zellengebiet bis auf eine bestimmte Dicke ausgeführt, ein zweiter Ätzprozess zum Entfernen der Oxidfilme in einem Hochspannungstransistorgebiet und in dem Niederspannungstransistor/zellengebiet ausgeführt, bis eine Polysiliziumschicht für einen Floating Gate exponiert ist. Daher werden hervorstehende Abschnitte der elementisolierenden Filme in dem Hochspannungstransistorgebiet und in dem Hochspannungstransistorgebiet und dem Niederspannungstransistor/zellengebiet bis auf eine bestimmte Dicke während der ersten und zweiten Ätzprozesse weggeätzt, so dass ein Unterschied in den EFHs zwischen diesen Gebieten reduziert werden kann.
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