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发明名称
Verfahren zum Bilden einer Bauelement-Grabenisolation in einem Siliziumsubstrat
摘要
申请公布号
DE4426604(B4)
申请公布日期
2005.02.10
申请号
DE19944426604
申请日期
1994.07.27
申请人
LG SEMICON CO. LTD., CHEONGJU
发明人
LIM, JUN-HEE;HUH, YOON-JONG
分类号
H01L21/76;H01L21/308;H01L21/311;H01L21/762;H01L21/763;(IPC1-7):H01L21/762
主分类号
H01L21/76
代理机构
代理人
主权项
地址
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