| 发明名称 | 激光束处理方法和激光束处理装置 | ||
| 摘要 | 一种用于半导体晶片的激光束处理方法，该半导体晶片具有形成在半导体基底前表面上的低电介质绝缘膜，被网格道分划的多个电路，和部分形成在每个网格道上的测试金属图案，该方法包括：激光束处理步骤用于在不同处理环境下，把激光束射到金属图案所在区域和低电介质绝缘所在区域的位置，以去除该金属图案和低电介质绝缘膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1577755A | 申请公布日期 | 2005.02.09 |
| 申请号 | CN200410055291.0 | 申请日期 | 2004.07.02 |
| 申请人 | 株式会社迪斯科 | 发明人 | 重松孝一;大宫直树;吉川敏行 |
| 分类号 | H01L21/302;H01L21/3105;H01L21/321;H01L21/02;B23K26/00 | 主分类号 | H01L21/302 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 曾祥凌 |
| 主权项 | 1、一种用于半导体晶片的激光束处理方法，该半导体晶片具有形成在半导体基底前表面上的低电介质绝缘膜、被网格道分划的多个电路和部分形成在各网格道上的测试金属图案，该方法包括：激光束处理步骤，其用于在不同处理环境下，把激光束射到金属图案所在区域和低电介质绝缘膜所在区域的位置，以去除该金属图案和低电介质绝缘膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||