发明名称 半导体装置
摘要 本发明涉及使用于有必要高输出化的开关电源中的半导体装置,目的是防止线圈和变压器发生鸣叫,实现高效率电源。通过在作为反馈信号输入端子的FB端子的周边电路上连接P型号OOSFET构成的电流镜电路(9)、过电流检测电平调整电路(10)、过电流检测电路(12)、间歇振荡控制电路(13),在从重负荷状态到轻负荷状态中采用改变IDRAIN峰值的PWM控制,在从轻负荷状态到重负荷状态中采用间歇振荡控制,抑制线圈和变压器的鸣叫,并实现高效率化。
申请公布号 CN1578082A 申请公布日期 2005.02.09
申请号 CN200410055746.9 申请日期 2004.07.28
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 八谷佳明
分类号 H02M3/155 主分类号 H02M3/155
代理机构 上海专利商标事务所 代理人 包于俊
主权项 1.一种半导体装置,具备:具有高电位侧端子、低电位侧端子、控制端子的开关元件(1),以及有与所述高电位侧端子通过调节器(3)连接的基准电压端子(BP)和反馈信号输入端子(FP),而且连接于所述开关元件的高电位侧端子、低电位侧端子及控制端子,控制所述开关元件(1)的导通截止的反复动作、即开关动作的控制电路(2),其特征在于,所述控制电路(2)具备高电位侧端子连接于所述基准电压端子;控制端子连接于所述反馈信号输入端子及第2个P型开关元件的控制端子;低电位侧端子连接于所述反馈信号输入端子及自身的控制端子上的第1个P型开关元件(7)、高电位侧端子连接于所述基准电压端子,控制端子连接于所述反馈信号输入端子及所述第1个P型开关元件的控制端子,低电位侧端子连接于第1个N型开关元件的高电位侧端子的第2个P型开关元件(8)构成的第1电流镜电路(9)、高电位侧端子连接于所述第2个P型开关元件的低电位侧端子;控制端子连接于所述第2个P型开关元件的低电位侧端子和第2个N型开关元件的控制端子;低电位侧端子接地的第1个N型开关元件(6)、高电位侧端子通过电阻连接于所述基准电压端子,控制端子连接于所述第1个N型开关元件的高电位侧端子和控制端子;低电位侧端子接地的第2个N型开关元件(6)构成的第2电流镜电路、含有所述第2电流镜电路及钳位电路(11)构成的,所述第2电流镜电路中的所述第2个N形开关元件的高电位侧端子再与钳位电路(11)、间歇振荡控制电路(13)的输入端子、过电流检测电路(12)的第1比较器的检测端子连接构成的过电流检测电平调整电路(10)、在所述开关元件的高电位侧端子上连接所述第1比较器的检测端子的过电流检测电路(12)、以及由具有连接所述第2个N型开关元件的高电位侧端子的检测端子以及利用所述检测端子的信号,利用所述检测端子在间歇振荡检测上限电压与间歇振荡检测下限电压间切换基准电压的基准端子的第2比较仪构成,当所述检测端子的信号变得比所述间歇振荡检测下限电压还小时停止所述开关元件的开关动作;当所述检测端子的信号变得比所述间歇振荡检测下限电压还大时再开始进行所述开关元件的开关动作的间歇振荡控制电路(13)。
地址 日本国大阪府