半导体装置的制造方法

摘要

本发明栅极一种半导体装置的制造方法。本发明的课题在于得到能适当地抑制因掺杂剂的穿透引起的阈值电压的变动的半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置的制造方法，其特征在于具备：(a)准备半导体衬底的工序；(b)在上述半导体衬底的主表面内有选择地形成元件隔离绝缘膜的工序；(c)在由上述元件隔离绝缘膜规定的元件形成区内、在上述半导体衬底的上述主表面上经栅绝缘膜有选择地形成栅电极的工序；(d)在上述半导体衬底内导入氢离子或氘离子的工序；(e)在上述元件形成区内、在上述半导体衬底的上述主表面内夹住上述栅电极形成成对的源、漏区的工序；以及(f)在上述源、漏区上形成金属－半导体化合物层的工序。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：(a)准备半导体衬底的工序；(b)在上述半导体衬底的主表面内有选择地形成元件隔离绝缘膜的工序；(c)在由上述元件隔离绝缘膜规定的元件形成区内、在上述半导体衬底的上述主表面上经栅绝缘膜有选择地形成栅电极的工序；(d)在上述半导体衬底内导入氢离子或氘离子的工序；(e)在上述元件形成区内、在上述半导体衬底的上述主表面内夹住上述栅电极形成成对的源、漏区的工序；以及(f)在上述源、漏区上形成金属-半导体化合物层的工序。