制备用于发光器件的量子点硅酸类薄膜的方法

摘要

一种制备用于发光器件的量子点硅酸类薄膜的方法。量子点硅酸类薄膜的制备是通过将含有能与量子点相互作用的官能团和至少一种用于溶胶－凝胶操作的反应基团的化合物，引入到量子点或用于分散量子点的基质材料的表面而实现的，从而表现出优异的机械性能和热稳定性能。

主权项

1、一种制备量子点硅酸类薄膜的方法，包括以下步骤：用硅烷化合物取代半导体量子点的表面，所述硅烷化合物含有膦类、胺类或硫醇基的官能团和至少一种用于接下来的溶胶-凝胶操作的反应基团，所述半导体量子点是通过湿化学技术合成的，并具有1～100nm大小；使表面取代的量子点进行溶胶-凝胶操作，接着涂布到基底上，或将表面取代的量子点涂布到基底上后再进行溶胶-凝胶操作；以及对涂布后的基底进行热处理。