发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
在半导体装置和半导体装置的制造方法中,象素部分205的源极电线126是由低阻的材料(具有代表性的是铝,银,铜)而形成的。驱动电路的源极电线是在与象素部分的栅极电线162和象素电极163相同的形成过程中形成的。 |
申请公布号 |
CN1577851A |
申请公布日期 |
2005.02.09 |
申请号 |
CN200410054421.9 |
申请日期 |
2001.11.28 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平;小山润 |
分类号 |
H01L27/02;H01L27/105;H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/30 |
主分类号 |
H01L27/02 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
梁永 |
主权项 |
1.一种半导体装置,它包括:一第一n沟道型TFT,设置在象素中;一第二n沟道型TFT,设置在驱动电路中;一第三n沟道型TFT,设置在上述驱动电路中,其特征在于每个上述第一n沟道型TFT,上述第二n沟道型TFT,和上述第三n沟道型TFT的栅电极具有由一第一导电层和一第二导电层组成的层状结构,作为下层的第一导电层具有第一宽度,作为上层的第二导电层具有一比第一宽度小的第二宽度。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |