| 发明名称 | 半导体器件制造方法和蚀刻系统 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：在一工作目标层上形成一抗蚀层；曝光和显影该抗蚀层，以形成包括孤立图形和密集图形的抗蚀图形；监测抗蚀图形的孤立图形和密集图形的线宽，以确定要减小的线宽的修整量；确定实现孤立和密集图形的修整量的蚀刻条件，蚀刻条件使用具有主要增强蚀刻功能的气体和具有主要抑制蚀刻功能的气体的混合气体；在所述确定的蚀刻条件下修整该抗蚀图形；以及使用所述修整的抗蚀图形蚀刻工作目标层。通过等离子体蚀刻的修整可稳定地实现所需的图形宽度。 | ||
| 申请公布号 | CN1577766A | 申请公布日期 | 2005.02.09 |
| 申请号 | CN200410063795.7 | 申请日期 | 2004.07.09 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 后藤刚;田岛贡;山崎隆之;加藤贵也 |
| 分类号 | H01L21/3065;H01L21/027;G03F7/00 | 主分类号 | H01L21/3065 |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 经志强;潘培坤 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件制造方法，包括下列步骤：(a)制备具有一工作目标层的一半导体衬底；(b)在所述工作目标层上形成一抗蚀层；(c)曝光和显影所述抗蚀层，以形成包括一孤立图形和一密集图形的抗蚀图形；(d)监测所述抗蚀图形的孤立图形和密集图形的线宽，以确定要减小的线宽的修整量；(e)确定实现该孤立和密集图形的所述修整量的蚀刻条件，该蚀刻条件使用包括具有主要增强蚀刻的功能的第一气体和具有主要抑制蚀刻的功能的第二气体的混合气体；(f)在所述确定的蚀刻条件下修整所述抗蚀图形；以及(g)通过使用所述修整的抗蚀图形蚀刻所述工作目标层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||