| 发明名称 | 具有电流狭窄层的氮化物半导体激光器元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | (A)在由氮化镓系化合物半导体构成的活性层p侧或n侧，形成：(a)由含有Al，而且Al比率小于电流狭窄层(30)的氮化镓系化合物半导体构成的第1半导体层(22)、(b)在第1半导体层(22)上形成的，由Al比率小于第1半导体层(22)的氮化镓系化合物半导体构成的第2半导体层(24)、和(c)由In<SUB>x</SUB>Al<SUB>y</SUB>Ga<SUB>1－x－y</SUB>N(0≤x≤0.1，0.5≤y≤1，0.5≤x+y≤1)构成，并具有条状开口部的电流狭窄层；(B)通过蚀刻去除，从电流狭窄层(30)的开口部(32)中除去第2半导体层(24)。 | ||
| 申请公布号 | CN1578029A | 申请公布日期 | 2005.02.09 |
| 申请号 | CN200410062825.2 | 申请日期 | 2004.06.25 |
| 申请人 | 日亚化学工业株式会社 | 发明人 | 松村拓明;柳本友弥 |
| 分类号 | H01S5/30;H01S5/323;H01S5/343;H01L33/00 | 主分类号 | H01S5/30 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 1.一种氮化物半导体激光器元件，其特征在于，在由n侧半导体层、活性层和p侧半导体层的层叠体形成，并在上述n侧半导体层或上述p侧半导体层上，形成了具有为通过电流的条状开口部的电流狭窄层的氮化物半导体激光器元件中，上述电流狭窄层是由InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤0.1，0.5≤y≤1，0.5≤x+y≤1)所构成，上述电流狭窄层形成在Al比率小于上述电流狭窄层的半导体层上，而该半导体层在上述开口部中部分地被去除。 | ||
| 地址 | 日本德岛县 | ||